证券之星消息,根据企查查数据显示乾照光电(300102)新获得一项发明专利授权,专利名为“发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法”,专利申请号为CN201810885637.1,授权日为2024年2月13日。专利摘要:本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法,其中所等会说。
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金融界2024年2月10日消息,据国家知识产权局公告,苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种四颗二极管集成芯片的制造工艺“授权公告号CN110060934B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示,一种四颗二极管集成芯片的制造工艺;步骤包括:在硅片衬底上、下表面均形成第一二等会说。
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jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 1 0 ri xiao xi , ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao , su zhou gu de dian zi gu fen you xian gong si qu de yi xiang ming wei “ yi zhong si ke er ji guan ji cheng xin pian de zhi zao gong yi “ shou quan gong gao hao C N 1 1 0 0 6 0 9 3 4 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 9 nian 4 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi , yi zhong si ke er ji guan ji cheng xin pian de zhi zao gong yi ; bu zhou bao kuo : zai gui pian chen di shang 、 xia biao mian jun xing cheng di yi er deng hui shuo 。
金融界2024年2月10日消息,据国家知识产权局公告,苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺“授权公告号CN110112130B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示,一种新型四颗二极管集成芯片的制造工艺;步骤为:在硅片衬底上、下表面均形成还有呢?
金融界2024年2月10日消息,据国家知识产权局公告,苏州固锝电子股份有限公司取得一项名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺“授权公告号CN110061066B,申请日期为2019年4月。专利摘要显示,一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺,步骤包括:在硅片衬底表面形后面会介绍。
证券之星消息,根据企查查数据显示苏州固锝(002079)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺”,专利申请号为CN201910358286.3,授权日为2024年2月9日。专利摘要:一种浅沟槽的电极同侧二极管芯片的制造工艺,步骤包括:在硅片衬底表面形等我继续说。
IT之家2 月7 日消息,综合澎湃新闻、中国科学院宁波材料所官方消息,近日,中国科学院宁波材料技术与工程研究所先进纳米光电材料与器件团队率先研制出性能世界领先的高效稳定钙钛矿发光二极管(LED),从根本上阐明了钙钛矿材料不稳定的根源,解决了自诞生以来就一直困扰钙钛矿发说完了。
金融界2024年2月6日消息,据国家知识产权局公告,TCL科技集团股份有限公司申请一项名为“复合材料、复合材料薄膜、发光二极管以及显示装置“公开号CN117529132A,申请日期为2022年7月。专利摘要显示,本申请公开一种复合材料、复合材料薄膜、发光二极管以及显示装置,该复神经网络。
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金融界2024年2月3日消息,据国家知识产权局公告,苹果公司申请一项名为“有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构“公开号CN117500327A,申请日期为2017年1月。专利摘要显示,本公开涉及有机发光二极管显示器的电源和数据路由结构,公开了可具有被形成在基板上的薄膜晶体神经网络。
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金融界2024年1月31日消息,据国家知识产权局公告,北京小米移动软件有限公司取得一项名为“终端和有机发光二极管显示面板的制作方法“授权公告号CN111384092B,申请日期为2018年12月。专利摘要显示,本公开是关于一种终端,包括:显示面板和图像采集设备,所述显示面板包括第是什么。
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金融界2024年2月1日消息,据国家知识产权局公告,北京大学取得一项名为“一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法“授权公告号CN116031277B,申请日期为2023年2月。专利摘要显示,本发明公开了一种氮化物全彩微型发光二极管显示芯片及其制备方法。本发明的显示神经网络。
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