三星集团和苹果公司哪个强,三星集团和苹果公司比哪个更强

摘要：金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及制造其的方法“授权公告号CN108183106B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外还有呢？ ...

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件及制造其的方法“授权公告号CN108183106B,申请日期为2017年12月。专利摘要显示，一种半导体器件包括衬底、外围结构、下绝缘层和堆叠。衬底包括外围电路区域和单元阵列区域。外还有呢？

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金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“标准单元“的专利，授权公告号CN107958904B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示，在一个实施例中，标准单元包括：第一有源区及第二有源区，在所述第一有源区与所述第二有源区之间界定中间区；以是什么。

jin rong jie 2 0 2 4 nian 2 yue 3 ri xiao xi ， ju guo jia zhi shi chan quan ju gong gao ， san xing dian zi zhu shi hui she qu de yi xiang ming wei “ biao zhun dan yuan “ de zhuan li ， shou quan gong gao hao C N 1 0 7 9 5 8 9 0 4 B , shen qing ri qi wei 2 0 1 7 nian 1 0 yue 。 zhuan li zhai yao xian shi ， zai yi ge shi shi li zhong ， biao zhun dan yuan bao kuo ： di yi you yuan qu ji di er you yuan qu ， zai suo shu di yi you yuan qu yu suo shu di er you yuan qu zhi jian jie ding zhong jian qu ； yi shi shen me 。

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金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“使用握手过程来控制存储器电力的系统芯片及其操作方法“授权公告号CN108334184B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示，一种通过握手来控制存储器电力的系统芯片(SoC)及其操作方法。所述系神经网络。

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金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“充电电池的方法和装置“授权公告号CN108023375B,申请日期为2017年10月。专利摘要显示，电池充电方法包括：以充电电流对电池进行充电；以及响应于在电池充电期间发生的电流改变事件来改变充电好了吧！

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金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件及其制造的方法“授权公告号CN109378315B,申请日期为2018年6月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括单元阵列区域和外围电路区域。单元阵列区域包括电极结构和垂直结构，该等会说。

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金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“用于确定句子的领域的方法和设备及训练方法和训练设备“授权公告号CN109388797B,申请日期为2018年4月。专利摘要显示，公开了用于确定句子的领域的方法和设备及训练方法和训练设备。所述设等会说。

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“的专利，授权公告号CN109841630B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，一种半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括垂直地堆叠在衬底上的多个层。所述多个层的每个包括神经网络。

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“三维半导体存储器件及其操作方法“授权公告号CN108461499B,申请日期为2018年2月。专利摘要显示，本发明提供一种三维(3D)半导体存储器件及其操作方法，该3D半导体存储器件包括：电极结构，包括等会说。

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“预测半导体集成电路良率的装置和半导体器件的制造方法“授权公告号CN109426698B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，提供了一种良率预测装置。良率预测装置可以包括耦接到至少一个非暂时等会说。

金融界2024年2月3日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“包括共享存储器区域和专用存储器区域的数据存储设备“授权公告号CN109697027B,申请日期为2018年10月。专利摘要显示，提供了一种数据存储设备。可以提供的数据存储设备包括：缓冲器，被配置为神经网络。